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QT-8400GaN 氮化鎵測試系統(tǒng)
探索第三代半導(dǎo)體的無限可能

測試主機(jī)

GaN Test Kit

Power Device Test Kit

QT-8400 由測試主機(jī)與測試站 Test Kit 組成，
其中 Test Kit 分為兩種：Power Device Test Kit & GaN Test Kit。

Test Kit
可根據(jù)需求進(jìn)行選擇

  • Power Device Test Kit

    面向 MOSFET/SIC、二極管、三極管等 CP 測試需求的 Power Device Test Kit.

  • GaN Test Kit

    面向氮化鎵測試需求的 GaN Test Kit.

105cm
站姿鍵盤高度
75cm
坐姿鍵盤高度
觸動人心的
用戶體驗
8400機(jī)箱從人體工學(xué)設(shè)計出發(fā)針對設(shè)計公司、實驗室和封測廠等不同環(huán)境場所，滿足了用戶站姿與坐姿不同狀態(tài)下的鍵盤操作使用需求，我們設(shè)計了獨(dú)有的指引標(biāo)識線，能讓用戶快速的找到站立或坐姿時推薦的鍵盤高度，也可根據(jù)個人身高差異自行微調(diào)，極大提升了操作舒適性和效率。

* 已申請專利

105cm
站姿鍵盤高度
75cm
坐姿鍵盤高度

QT-8400 GaN

QT-8400 D

測試范圍

專用于氮化鎵動靜態(tài)電參數(shù)測試

測試范圍

專用于 MOSFET/SIC 、二極管、三極管、IGBT等 CP測試。

參數(shù)指標(biāo)

懸浮 V/I 源
電壓 1KV/2KV
20A/100A；

參數(shù)指標(biāo)

懸浮 V/I 源
電壓1KV/2KV/3KV
20A/100A/200A

并行測試數(shù)

2/4/8/16 Site

并行測試數(shù)

2/4/8/16 Site

可擴(kuò)展動態(tài)模組

LCR測試模組（CG）
動態(tài) RDSON 模組（支持硬切和軟切）

可擴(kuò)展動態(tài)模組

雪崩測試模組（UIS、EAS）
LCR測試模組（RG、CG）

可擴(kuò)展高壓/直流模組

最高可擴(kuò)展8KV, 2KA

可擴(kuò)展高壓/直流模組

最高可擴(kuò)展8KV, 2KA

精準(zhǔn)測量

GaN Test Kit內(nèi)置精密測量電路，實現(xiàn)nA級和mΩ級的精準(zhǔn)測量。

精準(zhǔn)測量

Power Device Test Kit內(nèi)置精密測量電路，實現(xiàn)nA級和mΩ級的精準(zhǔn)測量。

內(nèi)置示波器圖

AWG編輯器

* 已申請專利